硅片晶圆激光切割、晶圆激光划片、晶圆激光刻槽、硅片激光划线、硅片激光打孔、异形孔加工、硅片晶圆激光裁切、改小、掏圆加工。

传统式硅片切割方式就是机械切割，速度比较慢、横断面整齐能力差、残片多、不环保。硅是一种非金属材料，机械切割非常容易使边沿造成裂开，导致硅表层弹性应变区、织构互联网区与碎晶区域构成层损害，乃至可能导致隐型裂痕，危害电荷主要参数等伤害。激光切割技术具备零接触、无机械应力、割缝总宽小、横断面整齐光洁、**度高、速度更快、质量稳定等优点；不容易损害单晶硅片构造，电荷主要参数要好于传统机械切割方法，可用于大规模电池片开展画线激光切割，保证精准操纵激光切割精密度及薄厚，降低激光切割碎渣，提升充电电池使用率。

用激光来划片切割硅片是目前*为先进的，它使用精度高、重复精度也高、工作稳定、速度快。

激光*大输出≧50W（可调）、激光波长为1.064µm、切割厚度≦1.2mm、光源是用Nd：YAG晶体组成激光器、是单氪灯连续泵浦、声光调Q、并用计算机控制二维工作台可预先设定的图形轨迹作各种**运动。